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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：13nC@10V
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规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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导通电阻：34mΩ@4A，10V
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导通电阻：34mΩ@4A，10V
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
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连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：370pF@20V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：51mΩ@10V，3.2A
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：370pF@20V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：51mΩ@10V，3.2A
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~+150℃
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阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：370pF@20V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：51mΩ@10V，3.2A
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：13nC@10V
阈值电压：1.5V@250μA
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功率：960mW€1.7W
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：24W€3.2W
漏源电压：80V
导通电阻：34mΩ@4A，10V
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