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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
