品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
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规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
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功率:5W
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类型:P沟道
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功率:5W
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分类:Mosfet场效应管
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功率:5W
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
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类型:P沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
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规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
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功率:5W
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
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漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:2000pF@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
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漏源电压:12V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
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连续漏极电流:8A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
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功率:5W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:2000pF@6V
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阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400μA
栅极电荷:28nC@4.5V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,5.8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
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连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,5.8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:21mΩ@4.5V,5.8A
阈值电压:900mV@400μA
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
功率:830mW
栅极电荷:28nC@4.5V
连续漏极电流:4.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存: