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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18.3A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
