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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 62nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:60+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40N10-30_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40N10-30_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1076pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:339mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40N10-30_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40N10-30_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2582pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1076pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:339mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR512DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W€96.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:25.1A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1078pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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