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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 87nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90142E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:31200pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83.3W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@30V

    连续漏极电流:32.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€20.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€20.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€20.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:87nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:87nC@10V

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    输入电容:2620pF@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

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    功率:4.8W€56.8W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

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    输入电容:3250pF@15V

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    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83.3W

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    栅极电荷:87nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

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    栅极电荷:87nC@10V

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    类型:P沟道

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    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90142E-GE3

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    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90142E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90142E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90142E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

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    栅极电荷:87nC@10V

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    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

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    输入电容:3250pF@15V

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    类型:P沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83.3W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

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    输入电容:4030pF@30V

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    类型:N沟道

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83.3W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@30V

    连续漏极电流:32.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90142E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:31200pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90142E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:31200pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83.3W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@30V

    连续漏极电流:32.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90142E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90142E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90142E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3120pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€20.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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