品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90142E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3120pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90142E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3120pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:15.2A€20.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: