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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
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功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
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功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
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功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
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功率：3.1W€5.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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功率：5.4W€83.3W
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输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
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功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
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栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
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功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
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功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
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功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
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功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：15.2A€20.5A
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