品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM10250E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N60EFL-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2274pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM10250E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: