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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
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功率：6.25W€104W
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
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功率：6.25W€125W
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类型：N沟道
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类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
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输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
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功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
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输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-GE3
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
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连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
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功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
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输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
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连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：14A€16A
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导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
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功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
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功率：6.25W€125W
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连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
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功率：1.9W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-GE3
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-GE3
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：6.25W€125W
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
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导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
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