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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3.25nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10V，15A
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功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
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输入电容：3250pF@30V
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类型：N沟道
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功率：69.4W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
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输入电容：3250pF@30V
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类型：N沟道
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功率：69.4W
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类型：N沟道
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