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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPF50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR220DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1085pF@10V
连续漏极电流：87.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPF50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
