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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 20nC@10V
    阈值电压: 3V@250μA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数7500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-GE3 起订数7500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数5000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数65000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3 起订数7500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-GE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

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    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

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    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

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    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

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    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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