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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9640GPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
功率：1.9W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFI9640GPBF
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
功率：40W
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
