品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: