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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 71nC@10V
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€69.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2425pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订14个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

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    ECCN:EAR99

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

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    输入电容:2230pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

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    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€69.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2425pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3740pF@75V

    连续漏极电流:19A€77.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.74nF@75V

    连续漏极电流:19A€77.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3740pF@75V

    连续漏极电流:19A€77.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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