包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：16.7W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：12.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33.4A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：10.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6.4A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：16.7W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：12.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33.4A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.95W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：6.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36.8W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：6.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：6.83mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：10.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6.4A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.95W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：6.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：16.7W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：12.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33.4A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.95W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：6.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36.8W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：6.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：6.83mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.95W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：6.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR500EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：54.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：421A

类型：MOSFET

导通电阻：470μΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：10.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6.4A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.8W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：24.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：26A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.95W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：6.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：16.7W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：12.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33.4A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.95W

阈值电压：1.3V

栅极电荷：6.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1