包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

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栅极电荷：47nC

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连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR180ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83.3W

阈值电压：2V

栅极电荷：46.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：2.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR180ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83.3W

阈值电压：2V

栅极电荷：46.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：2.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4470EY-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：7.1W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：68nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：10mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

导通电阻：4mΩ

包装方式：Reel

阈值电压：2V

栅极电荷：44nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：90.6A

ECCN：EAR99

功率：65.7W

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR180ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83.3W

阈值电压：2V

栅极电荷：46.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：2.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR180ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83.3W

阈值电压：2V

栅极电荷：46.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：2.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1