品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1243pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:382mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH24N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2814pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH24N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2814pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
导通电阻:271mΩ@7A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:1749pF@100V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH24N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2774pF@100V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
导通电阻:156mΩ@12A,10V
栅极电荷:122nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH24N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: