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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
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功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
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连续漏极电流：30A
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导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
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栅极电荷：51nC@10V
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输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
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导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
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连续漏极电流：30A
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输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
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导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
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功率：3.6W€39W
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栅极电荷：19nC@4.5V
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导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
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输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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栅极电荷：51nC@10V
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输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454FDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@50V
连续漏极电流：7.2A€23.5A
类型：N沟道
导通电阻：29.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454FDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@50V
连续漏极电流：7.2A€23.5A
类型：N沟道
导通电阻：29.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454FDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@50V
连续漏极电流：7.2A€23.5A
类型：N沟道
导通电阻：29.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454FDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@50V
连续漏极电流：7.2A€23.5A
类型：N沟道
导通电阻：29.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454FDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@50V
连续漏极电流：7.2A€23.5A
类型：N沟道
导通电阻：29.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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