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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8.4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
