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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR610DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：8.9A€39.6A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR576DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@75V
连续漏极电流：11.1A€42.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4894BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@15V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4894BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@15V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR576DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@75V
连续漏极电流：11.1A€42.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4894BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@15V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@100V
连续漏极电流：35.4A
类型：N沟道
导通电阻：31.9mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR576DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@75V
连续漏极电流：11.1A€42.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
