品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1076pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:339mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2582pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1076pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:339mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2582pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: