采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
输入电容：490pF@25V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
漏源电压：75V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
类型：N沟道
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
输入电容：620pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
功率：74W
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
功率：1.3W
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
功率：1.3W
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
