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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
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包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：SUM50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
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输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：126nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：126nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
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输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
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栅极电荷：126nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
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栅极电荷：126nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
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栅极电荷：126nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
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栅极电荷：126nC@10V
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输入电容：4427pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7625DN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
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栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4427pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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