品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2954pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2954pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: