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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
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阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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类型：N沟道
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漏源电压：25V
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漏源电压：25V
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连续漏极电流：51A€80A
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漏源电压：25V
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