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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4413ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：95nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@10V€84pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4413ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：95nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7820DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
