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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:30.9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:177nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5790pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7623DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7623DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7623DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:802pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:30.9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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