品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5.9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5.9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,1.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5.9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:66nC@5V
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640SPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU210PBF
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,1.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@7.5V
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:34.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:66nC@5V
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5.9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5.9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.38Ω@4.5V,750mA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@5V,3.1A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,1.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@5V,3.1A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,12A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,1.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU220PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:1.4V@250μA
功率:3.5W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:1.38Ω@4.5V,750mA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.2nF@25V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@28A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640SPBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
输入电容:1.3nF@25V
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:16nC@5V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:5.2A
阈值电压:2V@250μA
功率:50W
导通电阻:800mΩ@5V,3.1A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: