品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
输入电容:2450pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@9.7A,10V
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:81nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:4715pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:330A
功率:312W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
输入电容:5400pF@20V
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40020EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
输入电容:8800pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:165nC@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:230nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
功率:375W
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@9.7A,10V
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14606pF@20V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
漏源电压:40V
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:14780pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
功率:55W
输入电容:2922pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
输入电容:2450pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:12.7nC@10V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
输入电容:678pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:2600pF@25V
导通电阻:6mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
输入电容:1031pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
栅极电荷:22.5nC@10V
功率:33W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:8015pF@25V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:350A
功率:500W
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3
输入电容:4000pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:553pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
输入电容:2450pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: