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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    输入电容:2450pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:81nC@10V

    漏源电压:40V

    输入电容:4715pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.8mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:330A

    功率:312W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3

    输入电容:5400pF@20V

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    导通电阻:4.6mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40020EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40020EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40020EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:107W

    输入电容:8800pF@25V

    漏源电压:40V

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:165nC@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:230nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    功率:375W

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:68W

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N04-1M7L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N04-1M7L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM120N04-1M7L_GE3

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14606pF@20V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.7mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200A

    漏源电压:40V

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:14780pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    功率:55W

    输入电容:2922pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    输入电容:2450pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:12.7nC@10V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    输入电容:678pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    漏源电压:40V

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    输入电容:5000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:52nC@10V

    输入电容:2600pF@25V

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD100N04-3M6_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD100N04-3M6_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    连续漏极电流:100A

    输入电容:6700pF@25V

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    漏源电压:40V

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    输入电容:5000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    输入电容:1031pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    栅极电荷:22.5nC@10V

    功率:33W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ136ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ136ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.12mΩ@15A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:8015pF@25V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    漏源电压:40V

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    输入电容:5000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    漏源电压:40V

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    输入电容:5000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:553pF@20V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    连续漏极电流:8A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    输入电容:2450pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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