采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：3.1W
工作温度：-50℃~150℃
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
输入电容：665pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
输入电容：5590pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
栅极电荷：181nC@10V
类型：P沟道
功率：52W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流：4.5A€5.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：735pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：20V
功率：960mW€1.7W
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W
输入电容：1945pF@10V
工作温度：-50℃~150℃
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
栅极电荷：87nC@10V
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
输入电容：2620pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：35A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
漏源电压：20V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.9A
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA446CEJW-T1_GE3
功率：13.6W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
导通电阻：17.5mΩ@4.5A，4.5V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：910pF@10V
连续漏极电流：9A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
输入电容：2340pF@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：90nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：29.7A
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
栅极电荷：87nC@10V
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
输入电容：2620pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：35A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1062X-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：2.7nC@8V
功率：220mW
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：420mΩ@500mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：4.2W
栅极电荷：63nC@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：860mW€1.6W
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：12.4nC@5V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.97A
功率：2W€3.2W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
功率：1.5W
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：375pF@6V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：3.1W
工作温度：-50℃~150℃
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
输入电容：665pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：450mV@250µA
功率：250mW
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
栅极电荷：1.5nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA40DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：53nC@10V
类型：N沟道
输入电容：3415pF@10V
连续漏极电流：43.7A€162A
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：1.1mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：80mΩ@2A，10V
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：470pF@10V
类型：P沟道
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6926ADQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
漏源电压：20V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.9A
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493BDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：43.5nC@5V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
输入电容：1805pF@10V
功率：2.08W€2.97W
漏源电压：20V
导通电阻：27.5mΩ@7A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€8A
输入电容：4085pF@50V
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
栅极电荷：118nC@10V
类型：P沟道
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
