品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7900AEDN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:1.5W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
导通电阻:26mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4423DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@600µA
漏源电压:20V
栅极电荷:175nC@5V
导通电阻:7.5mΩ@14A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4421DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.75mΩ@14A,4.5V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:125nC@4.5V
阈值电压:800mV@850µA
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922EEH-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
连续漏极电流:840mA
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:14A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:89pF@10V€84pF@10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:850mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:89pF@10V€84pF@10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:850mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4423DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@600µA
漏源电压:20V
栅极电荷:175nC@5V
导通电阻:7.5mΩ@14A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4421DY-T1-GE3
栅极电荷:125nC@4.5V
阈值电压:800mV@850µA
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:8.75mΩ@14A,4.5V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
功率:1.5W
漏源电压:20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:850mA
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:89pF@10V€84pF@10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:850mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: