品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
漏源电压:20V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
功率:13.6W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2.7nC@8V
功率:220mW
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:43.7A€162A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
漏源电压:20V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
漏源电压:20V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.95W€10W
输入电容:350pF@10V
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@4.5V
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.7A€8A
栅极电荷:24nC@8V
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V
功率:1.7W€2.7W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:7.9A
栅极电荷:18nC@8V
输入电容:666pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5125pF@10V
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
功率:3.8W€52W
栅极电荷:53nC@10V
输入电容:1900pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
类型:N沟道
栅极电荷:24nC@8V
连续漏极电流:8A
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:50A
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4200pF@10V
功率:5.2W€104W
漏源电压:20V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: