品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:5590pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
栅极电荷:181nC@10V
类型:P沟道
功率:52W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3
输入电容:2340pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
阈值电压:900mV@250µA
工作温度:-50℃~150℃
栅极电荷:90nC@8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:29.7A
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:4.2W
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1013X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:450mV@250µA
功率:250mW
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:470pF@10V
类型:P沟道
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.5nC@5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:1805pF@10V
功率:2.08W€2.97W
漏源电压:20V
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€8A
输入电容:4085pF@50V
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:118nC@10V
类型:P沟道
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
连续漏极电流:12A
输入电容:1300pF@10V
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:3.4W€17.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:6900pF@10V
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:7.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14300pF@10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
栅极电荷:400nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
功率:1W€1.7W
漏源电压:20V
栅极电荷:36nC@8V
连续漏极电流:5.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.5nC@5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:1805pF@10V
功率:2.08W€2.97W
漏源电压:20V
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:19nC@8V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:19nC@8V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:4.8W€57W
工作温度:-50℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
类型:P沟道
输入电容:6600pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:225nC@10V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€6.3W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2945pF@10V
阈值电压:1.1V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: