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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    当前匹配商品:1700+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    阈值电压:1.2V@250µA

    输入电容:5590pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    栅极电荷:181nC@10V

    类型:P沟道

    功率:52W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    栅极电荷:87nC@10V

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    输入电容:2620pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:35A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3

    输入电容:2340pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    阈值电压:900mV@250µA

    工作温度:-50℃~150℃

    栅极电荷:90nC@8V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:29.7A

    功率:3.5W€19W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    栅极电荷:87nC@10V

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    输入电容:2620pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:35A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    栅极电荷:63nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12.4nC@5V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:5.97A

    功率:2W€3.2W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    输入电容:375pF@6V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:950mV@250µA

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1013X-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:450mV@250µA

    功率:250mW

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:470pF@10V

    类型:P沟道

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:43.5nC@5V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:1805pF@10V

    功率:2.08W€2.97W

    漏源电压:20V

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8A€8A

    输入电容:4085pF@50V

    导通电阻:21mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:118nC@10V

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:45nC@8V

    连续漏极电流:12A

    输入电容:1300pF@10V

    导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:3.4W€17.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:14300pF@10V

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:400nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:45nC@8V

    输入电容:1300pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.2A€6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    功率:1W€1.7W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:36nC@8V

    连续漏极电流:5.9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    栅极电荷:87nC@10V

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    输入电容:2620pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:35A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:43.5nC@5V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:1805pF@10V

    功率:2.08W€2.97W

    漏源电压:20V

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订56个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订56个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.25W€2.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1090pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:4.8W€57W

    工作温度:-50℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    输入电容:6600pF@10V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:225nC@10V

    连续漏极电流:40A

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€6.3W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2945pF@10V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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