品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ710DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:16A€35A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:6.8mΩ@19A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ710DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:16A€35A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:6.8mΩ@19A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ710DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:16A€35A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:6.8mΩ@19A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ710DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:16A€35A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:6.8mΩ@19A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: