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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    阈值电压: 1.5V@250µA
    类型: N和P沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513DC-T1-E3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513DC-T1-E3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:05+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订760个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订760个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513DC-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513DC-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:05+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.6W€1.2W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V€1200pF@10V

    连续漏极电流:5.7A€6.7A€5.1A€6.1A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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