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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 900mV@250µA
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@10V

    连续漏极电流:29.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@10V

    连续漏极电流:29.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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