品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:22A€35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR424DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR424DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: