品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2565pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si4943CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8.4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3985EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:145mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023CX-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:756mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW€1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1A€1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA907EDJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:37mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: