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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825 pF @ 10 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.4W（Ta），17.9W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 8 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300 pF @ 10 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：33 毫欧 @ 5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
输入电容：1300 pF @ 10 V
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：30 nC @ 5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.77W（Ta），13W（Tc）
漏源电压：20V
阈值电压：1.3V @ 250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A（Tc）
导通电阻：32 毫欧 @ 1.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
输入电容：820pF @ 10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.2V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：16A，35A
栅极电荷：18nC @ 10V
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
功率：27W，48W
漏源电压：20V
类型：2 个 N 通道（半桥）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
