品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:2.9W€15.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: