首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    漏源电压
    20V
    连续漏极电流
    行业应用
    栅极电荷
    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 3.1A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订46个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订46个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:20
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订40个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订40个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    加购:20
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订900个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订900个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:-3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:900
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧