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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1A€1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA938DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€7.8W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：4.5A€4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1A€1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6926ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1034CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：220mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：610mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：396mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA938DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€7.8W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：4.5A€4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW€1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A€1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1034CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：220mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：610mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：396mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1034CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：220mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：610mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：396mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7904BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：17.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@7.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1A€1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
