销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.7W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS80DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65W€5W

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：122nC@10V

输入电容：6.45nF@10V

连续漏极电流：58.3A€210A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.92mΩ@10A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.7W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1