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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~+150℃
    阈值电压: 1.5V@250μA
    当前匹配商品:20+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订数12000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订数12000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1.2nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2315

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2315

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订数2500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订数2500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5V,6.2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1.2nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5V,6.2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数15000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数15000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2315

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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