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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:70+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

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    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:1个P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

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    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

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    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

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    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数50个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

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    漏源电压:20V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

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    功率:1.5W€2.2W

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    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    类型:1个P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

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    连续漏极电流:3.7A

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    漏源电压:20V

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

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    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

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    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

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    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

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    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

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    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订数12000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订数12000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W€860mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A€3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:375pF@6V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:19nC@4.5V

    连续漏极电流:3.7A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.02nF@10V

    导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    功率:750mW

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    栅极电荷:168nC@8V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

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    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    功率:1.5W€2.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    栅极电荷:168nC@8V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:5.875nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    功率:1.5W€2.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,13.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013R-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013R-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:450mV@250μA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:800mV@850μA

    栅极电荷:125nC@4.5V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订数75000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订数75000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1031R-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1031R-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    连续漏极电流:140mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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