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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
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功率：2.9W
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栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
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功率：2.9W
阈值电压：1V
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
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包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
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连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
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连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
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连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
栅极电荷：9nC
连续漏极电流：4A
包装方式：Reel
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
包装方式：Reel
功率：2.9W
阈值电压：1V
连续漏极电流：7.8A
栅极电荷：13.8nC
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：32mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
包装方式：Reel
功率：2.9W
阈值电压：1V
连续漏极电流：7.8A
栅极电荷：13.8nC
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：32mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
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栅极电荷：9nC
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类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
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ECCN：EAR99
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包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
