品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,4.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.7nC@10V
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.7nC@10V
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.7nC@10V
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,1.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.7nC@10V
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
功率:1.9W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.6A
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
功率:2.5W€42W
包装清单:商品主体 * 1
库存: