品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3
输入电容:750pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
漏源电压:100V
阈值电压:4.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.15A
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:730mW
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFR110PBF
输入电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
输入电容:900pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:27.8A
类型:N沟道
栅极电荷:29.5nC@10V
功率:5W€35.7W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRLU110PBF
栅极电荷:6.1nC@5V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
输入电容:1970pF@50V
连续漏极电流:18.4A
功率:3W€6W
栅极电荷:67nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1470pF@50V
功率:5W€62.5W
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
功率:2.1W€41.7W
输入电容:860pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:16.9A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHLL110TR-GE3
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:540mΩ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
栅极电荷:8.3nC@10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
输入电容:802pF@50V
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
连续漏极电流:30A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
输入电容:2866pF@50V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFR120PBF
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
功率:2.5W€42W
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:7.7A
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:2W€3.1W
输入电容:250pF@25V
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
连续漏极电流:65.8A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
导通电阻:6.6mΩ
功率:83.3W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
功率:3.8W€8.4W
栅极电荷:95nC@10V
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
功率:2.5W€6W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
输入电容:600pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12.4A€45A
功率:5W€65.7W
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:41.5nC@10V
阈值电压:3.6V@250µA
输入电容:2060pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流:3.4A
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
功率:6.25W€125W
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:1970pF@50V
连续漏极电流:18.4A
漏源电压:2.8V
功率:3W€6W
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:8.8mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:611pF@50V
导通电阻:29mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
栅极电荷:21.5nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: