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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 100V
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:1400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3

    输入电容:750pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:58mΩ@5.5A,10V

    功率:3.8W€52W

    类型:N沟道

    漏源电压:100V

    阈值电压:4.4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.15A

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:730mW

    栅极电荷:5nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFR110PBF

    输入电容:180pF@25V

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.5W€25W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3

    阈值电压:2.8V@250µA

    输入电容:900pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:27.8A

    类型:N沟道

    栅极电荷:29.5nC@10V

    功率:5W€35.7W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU110PBF 起订1050个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU110PBF 起订1050个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRLU110PBF

    栅极电荷:6.1nC@5V

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    ECCN:EAR99

    功率:2.5W€25W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190ADY-T1-GE3 起订625个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190ADY-T1-GE3 起订625个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@15A,10V

    输入电容:1970pF@50V

    连续漏极电流:18.4A

    功率:3W€6W

    栅极电荷:67nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:1.5A

    功率:2W€3.1W

    输入电容:250pF@25V

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1470pF@50V

    功率:5W€62.5W

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3

    功率:2.1W€41.7W

    输入电容:860pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@6.6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:16.9A

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:250pF@25V

    ECCN:EAR99

    功率:2.5W€25W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHLL110TR-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHLL110TR-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHLL110TR-GE3

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:1.5A

    功率:2W€3.1W

    输入电容:250pF@25V

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:540mΩ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    栅极电荷:8.3nC@10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:802pF@50V

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    连续漏极电流:30A

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    功率:26W

    类型:N沟道

    输入电容:360pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15.1A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    输入电容:2866pF@50V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    功率:2.5W€42W

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:7.7A

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3 起订180000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3 起订180000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:1.5A

    功率:2W€3.1W

    输入电容:250pF@25V

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3

    连续漏极电流:65.8A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.6mΩ

    功率:83.3W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    功率:3.8W€8.4W

    栅极电荷:95nC@10V

    连续漏极电流:12A€17A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:2.5W€6W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    输入电容:600pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR108DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:12.4A€45A

    功率:5W€65.7W

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:41.5nC@10V

    阈值电压:3.6V@250µA

    输入电容:2060pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    连续漏极电流:3.4A

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:140nC@10V

    功率:6.25W€125W

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.25W€2.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:10.4nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:234mΩ@1.5A,10V

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:190pF@50V

    阈值电压:2.9V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.25W€2.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:10.4nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:234mΩ@1.5A,10V

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:190pF@50V

    阈值电压:2.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190ADY-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190ADY-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:1970pF@50V

    连续漏极电流:18.4A

    漏源电压:2.8V

    功率:3W€6W

    栅极电荷:67nC@10V

    导通电阻:8.8mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:611pF@50V

    导通电阻:29mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    栅极电荷:21.5nC@10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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